НОВОСТИ
Система AIX G5+ для GaN на кремнии
Компания AIXTRON SE представляет новую систему AIX G5+ производительностью 5 подложек диаметром 200 мм (5×200 мм) для выращивания нитрида галлия на кремниевых подложках.
ПодробнееТехнология получения GaN на Si на подложках диаметром 200 мм
Компания EpiGaN (Хасселт, Бельгия) успешно начала разработку технологии получения нитрида галлия на кремнии на подложках диаметром 200 мм.
ПодробнееГрафен: Курс на приборы в промышленных масштабах
Компания AIXTRON представляет две ключевые технологии получения графена: химическое осаждение из паровой фазы (CVD) и высокотемпературная сублимация
ПодробнееРеактор нового поколения AIX G5 HT
от компании AIXTRON устанавливает абсолютный рекорд производительности при росте материалов на основе нитридов галлия и индия.
ПодробнееPyro 400 позволяет измерять реальную температуру GaN
Компания LayTec выпустила новое революционное решение для прецизионного измерения температуры поверхности GaN с помощью пирометрии на длине волны 400 нм.
Подробнее
О компании |
|
|
История Компания "Сигм плюс" создана в 1991г. как коллектив специалистов в области производства полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур методом МОС-гидридной (MOCVD) эпитаксии. Это время прихода в упадок отечественной микроэлектроники и оптоэлектроники в частности. Необходимо было решать не только технологические задачи создания новых эпитаксиальных структур, но и постоянно совершенствовать аппаратное оформление, в те годы еще молодого и бурно развивающегося метода МОСГЭ (MOCVD). В первую очередь хотелось сохранить тот технологический опыт, который нарабатывался годами, и не отстать от зарубежных фирм, ведущих разработки в этой области. Этим объясняется, что в небольшую группу энтузиастов MOCVD влились специалисты по моделированию и автоматизации технологических процессов, программированию, разработке и внедрения новых технологий. Благодаря этому удалось не только сохранить и преумножить технологический потенциал компании, но и создать принципиально новые типы технологического оборудования, по своим характеристикам не уступающего мировым аналогам. Одним из судьбоносных решений для развития компании было привлечение для создания собственного технологического оборудования комплектующих ведущих мировых производителей. Высокое качество и надежность их определило долговечность и высокие технические характеристики приборов и аппаратов наших разработок. Многие из этих компаний в дальнейшем стали нашими надежными партнерами в бизнесе. Направления
|
![]() |
![]() |
|
![]() |
|
| |
|



