НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееXXIII МЕЖДУНАРОДНЫЙ СИМПОЗИУМ «НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА» В МАРТЕ 2019-02-14
В марте этого года на базе Института физики микроструктур, Нижний Новгород состоится XXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». В рамках симпозиума будет обсуждаться широкий спектр вопросов, касающихся физики полупроводниковых наноструктур, рентгеновской оптики и зондовой микроскопии. Объединенный формат cимпозиума позволяет ученым, работающим в смежных областях нанофизики, принять участие в совместном обсуждении результатов и новых задач.
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума с тремя докладами:
Метаморфные лазерные гетероструктуры на основе AlGaInAs
В работе обсуждаются вопросы роста лазерных гетероструктур AlGaInAs на подложках GaAs и Ge/Si с использованием метаморфных буферных слоев, что позволяет достигнуть высокого кристаллического совершенства, необходимого для лазерной генерации.
Влияние конструкции и технологии квантоворазмерной активной области на выходные характеристики полупроводниковых лазеров
Представлены результаты, свидетельствующие о возможности существенного улучшения выходных характеристик полупроводникового лазера (КПД вплоть до 80%) за счет оптимизации конструкции и технологии гетероструктуры с КЯ.
Лазерные гетероструктуры с увеличенной квантовой эффективностью, изготовленные на подложке InP
Доклад посвящен использованию упруго-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP в совокупности с напряженным барьерным слоем в лазерных гетероструктурах. Такой подход позволяет снизить пороговый ток лазерных диодов, а также увеличить крутизну их ватт-амперной характеристики.
Желаем удачного выступления и интересных дискуссий на симпозиуме.