НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
Подробнее«СИГМ ПЛЮС» НА 18-М ЕВРОПЕЙСКОМ СЕМИНАРЕ EW-MOVPE 2019, ЛИТВА 2019-05-22
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в этот раз в Вильнюсе с 16 по 19 июня. Целью этого мероприятия является объединение ученых и инженеров для обсуждения последних достижений, тенденций и будущих задач в области MOVPE. В рамках семинара планируется провести восемь приглашенных пленарных докладов от ведущих специалистов отрасли, четырех стендовых доклада, а также три коротких курса. Акцент делается на дискуссиях и обмене научными идеями во время стендовых сессий. Спонсорами семинара выступят наши партнеры из Aixtron SE и Laytec AG.
Доклад наших коллег посвящен актуальной проблеме роста метаморфных лазерных гетероструктур AlGaInAs на подложках GaAs. Переход от традиционных для этой системы материалов подложек InP к GaAs – современная тенденция, вызванная необходимостью снижать себестоимость лазеров спектрального диапазона 1,3-1,6 мкм. Кроме того, этот подход обеспечивает возможность интеграции лазеров с существующей электронной элементной базой.
В работе обсуждаются различные варианты роста структур с метаморфным буферным слоем и демонстрируются результаты лазерных гетероструктур AlGaInAs на подложках GaAs. Лучшие из них позволили получить интенсивность сигнала фотолюминесценции в диапазоне 1300-1450 нм, приближаясь к аналогичному значению для структур, сформированных на подложках InP. Готовые структуры с такими буферными слоями продемонстрировали эффективную электролюминесценцию около 1300 нм.
Желаем удачного выступления и интересных дискуссий на семинаре.