НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееНОВЫЙ КЛАСС ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAAS/GAAS 2019-08-14
В журнале Crystals v.9, 2019 опубликована статья наших коллег, рассматривающая технологические подходы к созданию гетероструктур в системе материалов AlGaAs/GaAs для новейших оптоэлектронных приборов.
Гетероструктуры AlGaAs/GaAs широко используются в современной электронике. Система материалов AlGaAs/GaAs хорошо изучена и традиционно считается идеальной с точки зрения согласования постоянных решетки полупроводниковой подложки и эпитаксиальных слоев. Здесь обычно не требуются какие-либо специальные технические процедуры для контроля механических напряжений во время роста высококачественных эпитаксиальных слоев. Однако, несмотря на отсутствие дислокаций несоответствия, в этих гетероструктурах имеются остаточные механические напряжения. Они могут приводить к изгибу эпитаксиальных пластин, особенно после утонения подложки на этапе формирования активного элемента, что критично для целого ряда применений. Например, в случае новых интегрированных лазеров с несколькими излучающими областями в одном активном элементе, где общая толщина эпитаксиальных слоев достигает 20 мкм.
Качество интерфейса гетероструктур AlGaAs/GaAs является приемлемым для традиционных инфракрасных лазеров. Но современные устройства требуют контроля формирования ультратонких слоев (порядка 1 нм) с высокой повторяемостью (до 1000 периодов). Характерные примеры – квантово-каскадные и терагерцовые лазеры.
Всё это требует разработки новых технических подходов для создания новых типов полупроводниковых приборов даже в такой хорошо известной системе материалов, как AlGaAs/GaAs.
Текущий уровень развития технологии МОС-гидридной эпитаксии позволяет в промышленных масштабах выращивать очень сложные многослойные структуры как с ультратонкими слоями, так и с большой общей толщиной эпитаксиальных слоев. Авторы статьи на практике продемонстрировали возможности создания с помощью этой технологии гетероструктур для полупроводниковых лазеров различного типа, излучающих во всей области инфракрасного спектра от 1 до 100 мкм.
Полный текст статьи доступен по ссылке >>>