НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееEPIX - МОДУЛЬНАЯ СИСТЕМА ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 2019-03-04
Система 2D картирования пластин EpiX является новейшей разработкой LayTec для научно-исследовательских и опытно-конструкторских разработок в области эпитаксиального роста полупроводниковых соединений. Последние достижения в технологии производства полупроводниковых лазеров выдвигают всё новые требования к аналитическому оборудованию. Отвечая на эти вызовы, LayTec уже выпустил две модификации стандартных систем для in-situ контроля EpiTT VCSEL и EpiTT FaceT. Новая ex-situ система EpiX – следующая в этом ряду. Она сочетает в себе возможности фотолюминесцентных исследований с измерениями отражения от пластины в белом свете. Это позволяет проводить всесторонний 2D-анализ в широком спектральном диапазоне (от 400 нм до 1700 нм).
В систему можно установить до 4 источников возбуждения для фотолюминесценции, а также есть возможность подключать дополнительные внешние лазерные источники. Интегрированное программное обеспечение обеспечивает полный анализ данных, включая автоматическое обнаружение оптических параметров VCSEL, подбор толщины одиночного слоя и толщин слоев в многослойной структуре, определение состава слоев. В результате специалист получает статистику по исследованному образцу и может сортировать образцы на годные/не годные на уровне пластин и кристаллов.
Основной особенностью конструкции системы EpiX является ее модульность и большие возможности модификации под требования заказчика как аппаратной части, так и программного обеспечения. Это особенно важно для исследовательских лабораторий, регулярно адаптирующих свои проекты к новым материалам и новейшим научным концепциям. Разработчики LayTec надеются, что EpiX на долгие годы станет незаменимым инструментом исследований с несколькими вариантами модернизации:
Результаты EpiTT в процессе роста MOCVD
In-situ отражение на длине волны 405 нм при росте p-DBR: измеренное (синий) и расчётное (красный)
Результаты EpiX
Положение центра полосы отражения
Толщина слоя AlGaAs
Состав слоя AlGaAs
Программное обеспечение EpiX: 2D классификация годен/не годен, анализ на уровне кристаллов, отчеты XML, интерфейсы данных для систем управления производственными процессами