Компания AIXTRON SE представляет новую систему AIX G5+ производительностью 5 подложек диаметром 200 мм (5×200 мм) для выращивания нитрида галлия на кремниевых подложках.

Компания EpiGaN (Хасселт, Бельгия) успешно начала разработку технологии получения нитрида галлия на кремнии на подложках диаметром 200 мм.

Компания AIXTRON представляет две ключевые технологии получения графена: химическое осаждение из паровой фазы (CVD) и высокотемпературная сублимация

от компании AIXTRON устанавливает абсолютный рекорд производительности при росте материалов на основе нитридов галлия и индия.

Компания LayTec выпустила новое революционное решение для прецизионного измерения температуры поверхности GaN с помощью пирометрии на длине волны 400 нм.