НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееCS CLEAN SOLUTIONS - ПРОДУКТЫ ДЛЯ ПОДАЧИ ЖИДКИХ ИСХОДНЫХ РЕАГЕНТОВ
Материалы самого последнего поколения, необходимые для осаждения диэлектриков с низкими и высокими значениями k, запирающих слоев и металлизации, обычно требуют применения ультрачистых исходных реагентов в жидкой форме. Например, на предыдущем технологическом этапе использовались соединения алюминия, гафния и циркония для химического осаждения из паровой фазы слоев с высоким значением k.
Перед тем, как убрать из шкафа подачи пустой резервуар из-под жидкого исходного реагента, необходимо сначала очистить все соединители от любых остатков химических веществ. Обычно это выполняется с помощью процедур откачки и очистки, в течение которых мертвый объем подвергается повторяющимся циклам нагнетания и выпуска инертного газа.
Однако такая методика требует слишком много времени на очитку от реагентов с низким давлением паров до достижения приемлемых остаточных уровней. Ополаскивание жидким растворителем вместо продувки инертным газом заметно повышает эффективность очистки и значительно ускоряет время на замену резервуара.
Преимущество такого метода наиболее ярко выражено при очистке от реагентов, склонных к гидролизу и образованию окисей при контакте с воздухом или влагой. В случаях, когда исходным реагентом является твердое вещество, растворенное в жидком растворе, ополаскивание растворителем является обязательным. Это является ключевым функциональным преимуществом системы подачи жидкостей TRICHEM.
Система подачи TRICHEM обеспечивает безопасную и согласованную подачу ультрачистых жидких исходных реагентов в устройства для химического осаждения из паровой фазы или осаждения атомарных слоев, позволяющую им постоянно оставаться в готовности к работе в течение продолжительных производственных циклов без перерыва.
Продукты: