НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееИНСТИТУТ ИССЛЕДОВАНИЙ ЯДЕРНОЙ ЭНЕРГИИ (Г.ТАОЮАНЬ, ТАЙВАНЬ) ПРИОБРЕЛ MOCVD-СИСТЕМУ AIXTRON ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 2009-02-02
Аахен, Германия, 27 января 2009г.
Компания AIXTRON AG сообщила, что Институт Иссследований Ядерной Энергии (INER), расположенный в Таоюане (Тайвань), в 4-ом квартале 2008 года заказал MOCVD систему с планетарным реактором AIX 2800G4 для производства солнечных элементов на основе Германия/А3В5.
Поставляемая установка МОС-гидридной эпитаксии имеет производительность 15 пластин с диаметром 4 дюйма за один цикл, с возможностью увеличения производительности за счет перехода на 8-ми дюймовые пластины. Новую систему планируется поставить в начале 2009 года. Институт Исследований Ядерной Энергии будет использовать данную установку для исследований сильнолегированных фотогальванических систем, а также в новом технологическом проекте, имеющем своей целью разработку высокоэффективных фотогальванических устройств на основе материалов А3В5. В рамках данных исследований INER уже представил разработанную солнечную энергетическую систему с мощностью 100 кВт.
Комментарии руководителя проекта д-ра Ченг-Цонга Куо: "Институт Исследований Ядерной Энергии в течение последних нескольких лет сфокусировал свои ресурсы на разработке модулей солнечных элементов. С помощью современной системы AIX 2800G4, отвечающей мировым стандартам, мы рассчитываем получить полностью законченный процесс "под ключ" и выполнить задачи проекта. MOCVD-системы AIXTRON хорошо известны в области технологии получения солнечных элементов. Мы уже имели удовольствие работать с профессиональной и быстрой командой AIXTRON, и будем рады продолжить сотрудничество с прибытием новой MOCVD-системы".
Подробная информация на сайте www.aixtron.com.