НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееКОМПАНИЯ TOKUYAMA РАСШИРЯЕТ ПРОИЗВОДСТВО УФ СВЕТОДИОДОВ С ПОМОЩЬЮ НОВОЙ СИСТЕМЫ AIXTRON 2009-11-12
MOCVD cистема нового поколения AIX/4 RF-S была успешно установлена и запущена в R&D центре компании Tokuyama (Tsukuba, Япония).
На сегодняшний день объем рынка ультрафиолетовых светодиодов составляет порядка $100 млн. в год, и эта цифра потенциально может возрасти вдвое в ближайшие несколько лет. Согласно недавним отчетам, поддерживаемый необходимостью замены существующих УФ источников света общий объем рынка может достигнуть цифры $250 млн. к 2015 году. Более того, доступность компактных полупроводниковых УФ светодиодов с четко определенными диапазонами длин волн делает возможными множество новых применений, например в медицине.
Сверхмощные устройства также могут применяться в технологиях упрочнения или вулканизации резин. Однако, самым многообещающим применением представляется замена дорогостоящих ртутных ламп, которые помимо хрупкости и весьма ограниченного времени работы представляют опасность для окружающей среды.
AlN является идеальным материалом для производства УФ светодиодов благодаря наличию самой широкой прямой запрещенной зоны (~6.2 еВ). Кроме того, с помощью прецезионной технологии MOCVD, реализованой в AIX 200/4 RF-S, можно изменять профиль запрещенной зоны для создания оптипмальных соединений и гетероструктур для УФ светодиодов.
Подробнее на сайте www.aixtron.com