НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ: ФИЗИКА И ТЕХНОЛОГИЯ. РОССИЙСКИЙ СИМПОЗИУМ С МЕДУНАРОДНЫМ УЧАСТИЕМ 2018-10-28
Наши специалисты примут участие в 6-м симпозиуме Полупроводниковые лазеры: физика и технология, который будет проходить с 13 по 16 ноября в ФТИ им. А.Ф. Иоффе и СПбАУ РАН, Санкт-Петербург. Симпозиум посвящен обсуждению актуальных проблем получения, исследования и применения различных типов полупроводниковых лазеров.
В работе симпозиума примут участие представители основных исследовательских и производственных предприятий отрасли из Санкт-Петербурга, Москвы, Нижнего Новгорода, Минска и т.д. Председателем симпозиума выступит Ж.И. Алферов, Академический университет. Компания ООО «Сигм плюс» является спонсором мероприятия.
Доклады по работам с участием наших специалистов состоятся 14 и 16 ноября:
- Полупроводниковые лазеры AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером
- Интегральные и гибридные подходы для решения задач генерации мощных лазерных импульсов полупроводниковыми гетероструктурами
- Оптимизация конструкции эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/GaAs с целью достижения максимального КПД полупроводниковых лазеров
- Физические особенности работы искусственного энергетического барьера в гетероструктурах мощных AlGaInAs/InP полупроводниковых лазеров
А также Вы сможете пообщаться со специалистами «Сигм плюс» в рамках стендовой сессии. С программой симпозиума Вы можете ознакомиться, перейдя по ссылке.
Схема проезда: