НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееОАО "САТУРН" ПРОДОЛЖАЕТ ОСВАИВАТЬ НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 2007-02-01
Краснодар, 13 декабря 2006. По материалам сайта Департамента промышленности администрации муниципального образования г.Краснодар
ОАО “Сатурн” обладает комплектом технологического и испытательного оборудования (механические, климатические, электрические, радиационные и т.д. приборы). Предприятие принимает участие в реализации Федеральной космической программы и ряда международных проектов. С 1972г. предприятием оснащено более 900 космических аппаратов бортовыми источниками электропитания, в т.ч. солнечными батареями на основе кремниевых фотопреобразователей. Указанная технология полностью отработана специалистами “Сатурна”.
Из года в год повышаются требования к бортовым системам космических аппаратов, что приводит к необходимости создания солнечных батарей, обладающих более высокими энергетическими и эксплуатационными характеристиками, увеличенным ресурсом работы. Наиболее перспективным путем решения этих задач является создание СБ на основе гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей на основе арсенида галлия и родственных ему соединений. Для решения этих задач ОАО “Сатурн” модернизирует это направление своего производства. В декабре 2006 года была введена в эксплуатацию научно-исследовательской лаборатория (НИЛ) с опытным производством по отработке технологии изготовления гетероструктур на базе импортного оборудования немецкой фирмы Aixtron.
Главная задача НИЛ – подготовка отечественного производства высокоэффективных каскадных солнечных элементов на основе твердых растворов соединений А3В5 на германиевых подложках методом MOCVD эпитаксии для космического и наземного применения. Научное сопровождение проекта осуществляет Физико-Технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе и НОТЦ под руководством лауреата Нобелевской премии академика Ж.И. Алферова.
Потребителями продукции являются программы Глонасс, МО РФ, а также коммерческие отечественные и зарубежные потребители. Потенциальными потребителями также являются европейские производители наземных фотоэлектрических систем с концентрированием солнечного излучения.
Кроме того, Управление автоматических космических комплексов и систем управления Федерального космического агентства и ОАО “Сатурн”, выполняя поручение Президента Российской Федерации от 18.01.2006г. № 440 об использовании системы ГЛОНАСС в общенациональном масштабе в 2007г. договорились о создании пункта мониторинга системы ГЛОНАСС и GPS на территории Геленджикской базовой лаборатории ОАО “Сатурн”.
ФГУП “Российский научно-исследовательский институт космического приборостроения” в 1 полугодии 2007г. представит свои предложения по внедрению технологий координатно-временного и навигационного обеспечения для решения прикладных задач в интересах Краснодарского края.