НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееКОМПАНИЯ NANOMETRICS ВЫПУСТИЛА НОВУЮ МЕТРОЛОГИЧЕСКУЮ СИСТЕМУ ATLAS XP 2008-04-03
Nanometrics Inc., ведущий мировой производитель современного контрольно-измерительного оборудования для полупроводниковой промышленности, представляет свою последнюю разработку - дальнейшее развитие линейки метрологических комплексов Atlas®, систему Atlas XP.
При создании Atlas XP использовался целый ряд новейших разработок, позволиших уменьшить допустимый размер исследуемых элементов, повысить точность и воспроизводимость измерений, улучшить стабильность и надежность работы системы. Сочетание методик спектральной рефлектометрии с нормальным падением пучка и новейшей УФ спектральной эллипсометрии с малым размером пятна обеспечивает системе Atlas XP точность вплоть до 45 и даже 32 нм, что соответствует современным требованиям промышленности.