НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееCИСТЕМЫ С ПЛАНЕТАРНЫМ РЕАКТОРОМ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ AIXTRON
Промышленные эпитаксиальные установки AIXTRON SE основаны на концепции планетарного реактора. Такой реактор является реактором с горизонтальным ламинарным потоком. Это гарантирует максимальную резкость гетерограниц и точное управление скоростями роста эпитаксиальных слоев на уровне параметра кристаллической решетки. Применение специально разработанной конструкции раздельного ввода компонентов в реактор дает возможность управления однородностью газового потока и, соотвественно, распределением вышеуказанных параметров по площади эпитаксиальной структуры. В сочетании с системой сателлитного вращения подложкодержателей с помощью газовых потоков (известной как "Gas Foil Rotation") это позволяет добиться очень высокой однородности толщины, состава и легирования эпитаксиальных слоев. Водоохлаждаемый корпус реактора, разработанный на основе такой концепции, изотавливается из нержавеющей стали. Детали, расположенные непосредственно в ростовой зоне, выполнены из кварца и графита и могут легко заменяться при выходе из строя, а также позволяют переходить на подложки другого диаметра. Нагрев реакционного объема осуществляется с помощью ИК-излучения от специальных ламп (до 850С) или индуктивным методом от ВЧ-генератора (до 1200-1700С), при этом возможен контроль параметров ростового процесса in-situ (т.е. непосредственно в ходе роста), с помощью различных оптических методов (например, системы EpiRAS).
Предлагаемые варианты установок с планетарным реактором
Название |
Загрузка |
Диапазон ростовых |
Применение |
G3 |
24x2" |
1200° - 1300°C |
Материалы на основе |
8x4" |
|||
G3 |
49x2" |
850°C |
Материалы на основе |
12x4" |
|||
7x6" |
|||
G4 HT |
42x2" |
1200° - 1300°C |
Материалы на основе |
11x4" |
|||
6x6" |
|||
G4 WW |
10x4" |
1500° - 1700°C |
Материалы на основе |
6x6" |
|||
G4-TM |
60x2" |
850°C |
Материалы на основе |
15x4" |
|||
5x8" |
|||
G5 HT |
56x2" |
1200° - 1300°C |
Материалы на основе |
14x4" |
|||
8x6" |
|||
5x8" |