НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееСИСТЕМЫ С РЕАКТОРОМ С ГОРЯЧЕЙ СТЕНКОЙ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ КАРБИДА КРЕМНИЯ
Карбид кремния (SiC) в настоящее время является перспективным материалом для производства сверхмощных, высокотемпературных и радиационноустойчивых полупроводниковых приборов. Концепция планетарного реактора, обладающая широкими возможностями масштабирования, теперь применяется и для высокопроизводительных систем для выращивания эпитаксиальных слоев SiC на подложках диаметром 4 и 6 дюймов. Уникальное сочетание высокой температуры стенок реактора и независимого вращения подложек обеспечивает непревзойденную однородность и высокую воспроизводимость свойств эпитаксиальных слоев.
После запуска в производство первого высокотемпературного планетарного реактора конфигурации 7x2 дюйма, специалисты AIXTRON сфокусировались на увеличении объемов высокопроизводительных реакторов для эпитаксии SiC. Система AIX 2800G4 WW (warm wall) обеспечивает максимальное количество чипов с одной подложки при минимальной себестоимости чипа за счет минимизации потерь по краям при большом диаметре пластины. Система также доступна в конфигурациях загрузки 10x100 мм и 6x150 мм.
Специально разработанный тройной водоохлаждаемый инжектор для подачи исходных компонентов в реактор и конструкция горячих стенок реактора с крышкой высокой степени изоляции являются ключевыми особенностями новой системы SiC G4. Особенности этого реактора обеспечивают отличную морфологию поверхности с низкой плотностью дефектов при высокой скорости роста, а следовательно, и производительности системы.
Новейшее поколение планетарных реакторов для карбида кремния AIX 2800G4 WW SiC основано на концепции AIXTRON IC, которая также используется в качестве платформы под 4-ое поколение систем планетарных реакторов для GaN. Помимо специальных особенностей реактора SiC для AIX 2800G4 WW доступны те же компоненты, что и для лидера рынка светодиодов, высокопроизводительной системы AIX для производства структур GaN.
Предлагаемые варианты установок для эпитаксии SiC
Название |
Загрузка |
Диапазон ростовых |
Применение |
2800G4WW |
10x4" |
1500-1700°C |
Материалы на основе |
6x6" |
|||
VP2400HW |
7x3" |
1600-1700°C |
Материалы на основе |
6x4" |