НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееЭПИТАКСИЯ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ГИДРИДОВ (HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY - HVPE)
Поскольку этот процесс проходит в условиях, близких к состоянию термодинамического равновесия, то интересно его использование при селективном эпитаксиальном росте, заращивании гетероструктур и планарном росте.
Благодаря возможности роста очень толстых, но в тоже время высококачественных слоев полупроводниковых соединений высокой чистоты этот метод широко используется для создания высококачественных буферных слоев GaN на подложках карбида кремния и сапфира.
Предлагаемые варианты установок:
Загрузка |
Максимальная температура роста |
Применения |
1x2" |
до 850° С |
Материалы на основе GaAs и InP |
1x2" |
до 1050° С |
Материалы на основе GaN |