НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛИТКОВ SIC
Сублимация с использованием затравки - это современная технология выращивания одиночных слитков кристаллического карбида кремния (SiC) из твердого порошка SiC. Процесс выращивания высококачественных кристаллов карбида кремния с низким уровнем дефектов требует прецизионного контроля температуры на границах, что обеспечивается особым устройством установки с горячей стенкой. Электрической проводимостью объемных кристаллов уможно управлять путем добавления азота или алюминия в качестве донорной или акцепторной примеси.
Предлагаемые варианты установок:
Название |
Загрузка |
Диапазон ростовых |
Применение |
SB 100 |
1x3" |
2200-2400°C |
Объемные кристаллы |
1x4" |