НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееEPITT
EpiTT – измерительная система реального времени, специально разработанная для промышленного производства эпитаксиальных структур в системе материалов GaN. Возможности сенсора включают измерение скорости роста и температуры пластины в реальном времени. Также эта измерительная система может использоваться в других системах материалов и практически для любого типа ростовой системы.
В EpiTT используются рефлектометрические измерения и оптическая пирометрия с компенсацией влияния излучательной способности, что позволяет в реальном времени корректно измерять температуру поверхности с точностью менее ±1 K. Анализ в реальном времени скорости роста с точностью до ±0.001нм/с возможен благодаря уникальной высокотемпературной базе данных LayTec, охватывающей широкий ряд материалов.
EpiTT также позволяет проводить рефлектометрические измерения на второй длине волны, значение которой выбирается пользователем. Это дает возможность получить беспрецедентную точность контроля роста, в особенности для гетероструктур в системе материалов GaN. Анализ роста структур GaN на типичной для этой системы материалов длине волны (950нм) не дает информации о слоях GaN толще 1мкм и не подходит для оптимиза-ции режимов роста буферного слоя.
Особенности и преимущества EpiTT:
- высокая скорость проведения измерений излучательной и отражательной способностей
- выборочный мониторинг пластин и возможность контроля скорости роста непосредственно в процессе эпитаксии
- измерения реальной температуры на поверхности пластины в процессе роста
- возможность выбора второй длины волны в диапазоне от 600 до 1000нм
- волоконно-оптические соединения
- компактный размер
- простое и наглядное программное обеспечение для анализа скорости роста
- доступны также оптимизированные версии для GaAs и InP
- интерактивное взаимодействие с программным обеспечением, контролирующим процесс эпитаксиального роста (MOCVD, MBE)
- специальная версия для больших объемов производства
- возможность работать в эпитаксиальных системах с высокими скоростями вращения подложкодержателя (до 200 об./мин.)
Новые решения с несколькими измерительными головками для полного контроля за процессом роста: EpiTwin TT / EpiTriple TT / EpiTT Quatro
EpiTwin TT - это брат близнец сенсора EpiTT, имеющий две оптические измерительные головки для измерений в двух независимых положениях. Эта система была специально разработана для установки в MOCVD - реакторы с CCS - конфигурацией (со струйным вводом компонентов) для производства светодиодов на основе структур GaN.
EpiTriple TT соответственно содержит три оптических головки для реакторов большего размера. По запросу возможно изготовление измерительный систем с четырьмя (EpiTT Quatro) или более оптическими головками.
Рекомендуется комбинация с головкой для измерения кривизны EpiCurve® (EpiCurveTwin TT and EpiCurveTriple TT).
Такжк как и EpiTT, системы с несколькими измерительными головками сочетают в себе рефлектометрию и оптическую пирометрию, что позволяет измерять в процессе роста температуру поверхности с точностью менее ±1 K и on-line анализ скорости роста с точностью до ±0.001нм/с.
Простое и удобное в использовании программное обеспечение EpiTT может удаленно контролироваться компьютером, управляющим процессом эпитаксиального роста. В эпитаксиальных реакторах с несколькими подложками EpiTT позволяет измерять даже температуру подложкодержателя между пластинами. В качестве дополнительной функции EpiTT может осуществлять обратную связь по реальной температуре эпитаксиальных пластин и определять момент достижения режима роста с заданной скоростью.
Для измерения реальной температуры подложки в нитридных процессах LayTec предлагает Pyro 400 – уникальный УФ - сенсор, устанавливающийся на EpiTT.
Более глубокое исследование ростовых процессов в нитридной системе материалов позволяет осуществлять другой сенсор производства LayTec: EpiR TT, использующий методы спектральной рефлектометрии.
EpiTT широко используется в системах МОС-гидридной и молекулярно лучевой эпитаксии, включая планетарные реакторы AIX, системы TSS-EZ CCS и различные установки МЛЭ.