НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееPYRO 400
Сегодня одной из проблем, возникающих при производстве светодиодов на основе GaN, является невозможность измерения и контроля реальной температуры пластины в процессе эпитаксиального роста. Специалисты LayTec разработали новое решение, позволяющее точно измерять реальную температуру поверхности GaN: измерительная система Pyro 400.
В отличие от традиционной ИК пирометрии, позволяющей измерять лишь темпратуру подложкодержателя под сапфировыми или SiC подложками, Pyro 400 - это первый реальный инструмент для измерения непосредственно температуры поверхности слоев GaN с помощью 400-нанометровой пирометрии . Именно на этой длине волны нитрид галия поглощает и и излучает свет.
Pyro 400 дает исчерпывающую информацию о корреляции между изгибом пластины и реальной температурой поверхности пластины. Хорошо известно, что измерения температуры поверхности пластины в течение нитридного процесса на традиционно используемой в пирометрии длине волны (950 нм) затруднено вследствие прозрачноси материала подложки. До сих пор было крайне сложно напрямую определить влияние кривизны пластины на температурную однородность. Поскольку связь между изгибом и температурой является чрезвычайно критичным параметром, определяющим выход годных для нитридных процессов, мы используем Pyro 400 для прямых измерений температуры поверхности GaN.